WCZT

pl | en

Nanotechnologie

Laboratorium nanotechnologii (Clean Room)

Nakładanie warstw i ich strukturyzacja przy użyciu metod optycznych i litografii elektronowej. Przygotowanie dowolnych struktur metalicznych w skali nanometrycznej.

1) Wytwarzanie struktur metalicznych metodą lift-off przy użyciu rozpylania magnetronowego z wykorzystaniem:
– litografii optycznej bezmaskowej – minimalna wielkość struktur rzędu 700 nm na obszarze do 25 cm2,
– litografii elektronowej z rozdzielczością 50 nm.
2) Modyfikacja powierzchni za pomocą zogniskowanej wiązki jonów.
3) Wytwarzanie nanokontaktów zogniskowaną wiązką jonów z wykorzystaniem fazy gazowej (Platyna, izolator) – z rozdzielczością 50 nm.
4) Wytwarzanie nanostruktur prowadząc proces przy użyciu trawienia jonowego.
5) Przygotowanie preparatów do transmisyjnej mikroskopii elektronowej.


Skaningowy mikroskop elektronowy ze zogniskowaną wiązką jonów (FEI Helios NanoLab 660)

Subnanometrowa zdolność rozdzielcza (XHR), napięcie przyśpieszające od 500 V do 30 kV, detektory wewnątrzkolumnowe. Szybkie i precyzyjne trawienie oraz osadzanie cząstek o średnicy krytycznej większej niż 50 nm. System dozowania gazu (osadzanie Pt, trawienie węgla, osadzanie izolatora). Analiza EDS.


Micro Systems Ion Sys 500

Trawienie jonowe za pomocą działa jonowego i nakładanie warstw metalicznych przy użyciu źródła magnetronowego. Średnica próbki do 150 mm.


Durham Magneto Optics Micro Writer Ml 

Urządzenie fotolitograficzne bezmaskowe, przeznaczone do szybkiego tworzenia prototypow w laboratoriach badawczo rozwojowych i clean roomach. Rozdzielczość: 700 nm; rozmiar probki: 1 mm – 200 mm; prędkość zapisu do 180 mm2/min; długość fali lasera naświetlającego: 405 nm.


Spin-coater Sawatec SM-180, płyta grzejna Sawatec HP-200

Dodatkowe wyposażenie laboratorium do procesów nakładania rezystów i trawienia chemicznego próbek.

ZASTOSOWANIE

1) metalurgia
– analiza zgładów metalograficznych,
– badanie rozkładu powierzchniowego faz chemicznych np. stopów metalicznych;
2) elektronika i spintronika
– nanoszenie warstw ochronnych (przewodzących i izolujących) w warunkach wysokiej próżni,
– projektowanie i przygotowanie ścieżek/kontaktów elektrycznych dla submikronowych układów elektronicznych,
– wytwarzanie anten do wzbudzeń mikrofalowych
i absorberów Thz,
– modyfikacja właściwości magnetycznych przy użyciu jonów Ga+;
3) technika półprzewodnikowa
– tworzenie masek do procesów fotolitograficznych,
– wytwarzanie matryc złączy Schottkiego.

partnerzy

Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszy Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka 2007-2013.